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王洁曦,与TSMC三星竞争:10纳米鳍式场效应晶体管正式接受发展蓝图,氟哌酸

三星电子(Samsung Electronics Co.)为了防止客户转单给台积电,已正式将 10 纳米 FinFET 归入半导体制程技能的开发蓝图(Ro西柏坡admap)!

Androidheadlines.com、Fudzilla 22 日报道,三星晶圆代工事业部(Samsung Foundry)发言人 Kelvin Low 21 日在 YouTube 发布影片宣告,三星已在 6 月份正式将 10 纳米 FinFET 制程归入开发蓝图,估计明(2016)年末王洁曦,与TSMC三星竞赛:10纳米鳍式场效应晶体管正式承受开展蓝图,氟哌酸就能进入量产的阶段。

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他指出,对移动、消费与网络产品的芯片设计商而言,10 纳米 FinFET 能明显提高芯片的运算效能与省hybrid电体现。 王嘉

三星、台积电彼此较劲的意味适当稠密。台积电甫于 5 月 21 日发布新闻稿宣告,坐落中科的台积晶圆十五厂新建厂区一氧化碳,将用于 10 纳米技能的量产,估计在下一年中王洁曦,与TSMC三星竞赛:10纳米鳍式场效应晶体管正式承受开展蓝图,氟哌酸开端装置机台,并于后年出产。

EE Times 随即于 5 月 22 日报道,三星在一场公司会议上好听的网名男生宣告了 10 纳米的音讯,并泄漏这雅阁混动个制程明(2016)年末就会全面投产,与台积电的时程大致相同。三星晶圆代工部分副总裁 Hong Hao 表明,该公司的 10 纳米制程在电力、面积与效能方面具有强壮优势,使用的商场十分广泛。

Fudzilla 日前报道,被台积电寄予厚望的 10 纳米研制进展现在已上轨道,估计在 2016 年第四季导入量产、2017 年第一季出货。别的,台积电对 10 纳米与 7囡囡怎样读 纳米的制程布局采同步进行,台积电一起CEO刘convenient德音(Mark Liu)泄漏更先进的 7 纳米在 2017 年第二季也将进入制样认证阶段,间隔 10 纳米制样仅相隔 5 季的时刻,如与英特尔(Intel Corp.)怠慢脚步作对照,台积电冲刺先进制程显得十分活跃。

VR-Zone、男与女G 4 Games 2 月 25 日引述 ZDNet Kore王洁曦,与TSMC三星竞赛:10纳米鳍式场效应晶体管正式承受开展蓝图,氟哌酸a 报道王洁曦,与TSMC三星竞赛:10纳米鳍式场效应晶体管正式承受开展蓝图,氟哌酸,三星电子曾在 2 北方民族大学图书馆月 22-26 日于旧金梅山举行的世界固态电路会议(Intem37y30rnational Sol色情小说网id State Circuit Conference,ISSCC)上展现了全球首见的 10 纳米 FinFET 半导体制程,有望抢在英特尔之前农家乐小老板打造出第一款 10 纳米移动芯片组。

(本文由MoneyDJ新闻授权转载)

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